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摘要:
介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景.
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文献信息
篇名 下一代光刻技术
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 下一代光刻技术 浸没式光刻技术 极端远紫外光刻技术 纳米压印光刻技术 无掩模光刻技术
年,卷(期) 2005,(11) 所属期刊栏目 专题报道(半导体制造设备)
研究方向 页码范围 27-33
页数 7页 分类号 TN305.7
字数 5522字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2005.11.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 胡松 中国科学院光电技术研究所 93 705 12.0 24.0
2 佟军民 中国科学院光电技术研究所 9 48 4.0 6.0
6 余国彬 中国科学院光电技术研究所 22 129 7.0 10.0
传播情况
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引文网络
引文网络
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同被引文献  (10)
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2020(1)
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研究主题发展历程
节点文献
下一代光刻技术
浸没式光刻技术
极端远紫外光刻技术
纳米压印光刻技术
无掩模光刻技术
研究起点
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研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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