真空蒸发法制备氧化钒薄膜的研究

• 作者: 刘志刚 吴淼 张之圣 温宇峰 胡明
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 关键词: V2O5 真空蒸发 VOx薄膜 电阻温度系数
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 17-19,24
• 页数: 4页
• 字数: 2196字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1625.2005.01.004

摘要

以V2O5粉末为原料,采用真空蒸发结合真空热处理方法制备VOx薄膜,运用XRD(X射线衍射)和SEM(扫描电子显微镜)技术分析了基片材料、基片温度、真空热处理工艺对氧化钒薄膜结晶状态、物相组成和表面形貌的影响,在基片温度为200℃和400℃时所沉积的氧化钒薄膜在室温附近的电阻温度系数(TCR)分别达到-3%,并发现随着基片温度的升高,薄膜在室温附近的电阻率降低,TCR绝对值减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
2	刘志刚	天津大学电子信息工程学院	38	320	9.0	16.0
3	张之圣	天津大学电子信息工程学院	57	580	15.0	21.0
4	吴淼	天津大学电子信息工程学院	8	138	6.0	8.0
5	温宇峰	天津大学电子信息工程学院	3	52	3.0	3.0