飞思卡尔推出4 MbMRAM

• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 推出 卡尔 2004年10月 随机存取存储器 E2PROM 2005年 MRAM 磁化方向 隧道磁阻 SRAM 高集成度 DRAM 非易失性 存取时间 巨磁阻 高速度 内存 闪存
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 47
• 页数: 1页
• 分类号: TP333.8

摘要

MRAM是磁阻随机存取存储器，它是利用巨磁阻(GMR)和隧道磁阻(TMR)效应以元件的磁化方向为依据来存储信息。它既具有DRAM的高集成度．又具有SRAM的高速度，并具有闪存的非易失性．是替代E2pROM和闪存的理想内存，有望成为下一代主流内存。2004年10月飞思卡尔推出4MbMRAM样品，型号为MR2A16A，存取时间为25ns／35ns．2005年量产。