MOD法制备的Bi3.25Nd0.75Ti3O12薄膜的铁电各向异性行为

• 作者: 孙璟兰 孟祥建 褚君浩 马建华
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: BNT薄膜 晶型结构 铁电性能 各向异性
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 430-434
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 2413字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.02.027

摘要

采用金属有机分解法(MOD)在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了含(117)成分的c轴择优取向和a轴择优取向的Bi3 25Ndo 75Ti3O 12(BNT)薄膜.实验发现,BNT薄膜的晶型结构主要依赖于预退火条件.电学性能测试表明,a轴择优取向的BNT薄膜具有高的剩余极化和矫顽场,较高的介电常数和介电损耗,以及较大的电容调谐率;而c轴择优取向的则相反.BNT薄膜具有同Bi4Ti3O12(BIT)薄膜相似的铁电各向异性行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马建华	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	26	105	6.0	9.0
2	褚君浩	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	103	650	13.0	22.0
3	孙璟兰	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	13	57	4.0	7.0
4	孟祥建	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	15	65	5.0	7.0