沉积参量及时效时间对 SiO2薄膜残余应力的影响

• 作者: 田光磊 范正修 邵建达 邵淑英
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜光学 SiO2薄膜 残余应力 沉积温度 氧分压 时效
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 126-130
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3512字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2005.01.026

摘要

SiO2薄膜由电子束蒸发方法沉积而成.用GPI数字波面光学干涉仪测量了不同沉积条件下玻璃基底镀膜前后曲率半径的变化,并确定了SiO2薄膜中的残余应力.在其他条件相同的情况下,当沉积温度由190℃升高到350℃时,SiO2薄膜中的压应力由-156 MPa增大为-289 MPa.氧分压由3.0×10-3Pa升高到13.0×10-3Pa时,SiO2薄膜中的应力由-223.5 MPa变为20.4 MPa.通过对薄膜折射率的测量,发现薄膜的堆积密度随沉积条件的改变也发生了规律性的变化.应力的变化主要是由于沉积时蒸发粒子的动能不同,导致薄膜结构不同引起的.同时,在样品的存放过程中,发现随着存放时间的延长,薄膜中的应力表现出了由压应力状态向张应力状态演变的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵建达	中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术发展中心	212	2131	21.0	29.0
2	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术发展中心	203	2312	23.0	32.0
3	田光磊	中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术发展中心	6	87	5.0	6.0
4	邵淑英	中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术发展中心	18	309	9.0	17.0