基于硅基PZT微力传感器标定系统的初步研究

• 作者: 佟建华 崔岩 王立鼎 董维杰
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: PZT薄膜 微力传感器 标定 双晶片
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 微纳加工与测试及封装技术
• 页码范围: 372-374
• 页数: 3页
• 分类号: TH703.65
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.131

摘要

采用双晶片探头和电子天平对PZT微力传感器进行静态力标定,进而利用双晶片探头和电荷放大器对PZT微力传感器进行准静态标定,微小信号检测通过锁相放大器来实现.PZT薄膜在基体Pt/Ti/SiO2/Si<100>上用溶胶-凝胶法制备,然后在600℃下退火.PZT微力传感器完全由MEMS体硅加工工艺来实现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董维杰		80	585	12.0	20.0
2	王立鼎		130	1877	24.0	38.0
3	崔岩		59	332	10.0	16.0
4	佟建华		7	19	3.0	4.0