碳化硅涂层的离子注入改性

• 作者: 吴守军 成来飞 李舵 沈季雄
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳/碳化硅复合材料 碳化硅涂层 离子注入 氧化
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 页码范围: 1202-1207
• 页数: 6页
• 分类号: TB332
• 字数: 3719字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2005.10.006

摘要

在SiC涂层表面注入Al3+,B3+,Si4+,观察3种离子注入对涂层表面裂纹的封填情况,分析离子注入后涂层表面的相组成,考核离子注入对SiC-C/SiC材料抗氧化性能的影响.在1 300℃模拟空气中氧化15 h后,注入Al3+的复合材料的氧化质量损失比未经涂层改性的降低了0.3%,形成的玻璃氧化层中气泡和孔洞少,对涂层裂纹的封填效果较好但覆盖不均匀.注入B3+的复合材料的氧化质量损失比未经涂层改性的降低了0.1%,形成的玻璃氧化层的流动性好且覆盖均匀,但其表面多气泡和孔洞,破坏了玻璃氧化层对涂层裂纹的封填作用.注入Si4+的复合材料的氧化质量损失同注入B3+的试样基本相当,但是其氧化质量损失有增大趋势,表明Si4+的注入对改善材料的抗氧化性能无积极作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成来飞	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	259	2656	22.0	40.0
2	沈季雄	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	4	22	3.0	4.0
3	李舵	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	2	6	2.0	2.0
4	吴守军	西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室	5	43	4.0	5.0