Cu导线表面起伏程度对早期失效的影响

• 作者: C Bruynseraede K Maex 朱建军 汪辉 王国宏
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电迁移 早期失效 表面缺陷 最弱链接近似
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1516-1518
• 页数: 3页
• 分类号: TN384
• 字数: 1900字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2005.08.038

摘要

使用两种化学机械抛光剂得到的单层大马士革Cu导线表面起伏程度不同.扫描电镜观察到明显的缺陷出现在大起伏的Cu导线表面.这种表面缺陷导致早期失效比率剧增至几乎100%、电迁移寿命猛降至早期失效的量级、失效时间分布从多模变为单模,其相应的失效机制激活能为0.74±0.02 eV,这说明失效主要是由Cu原子沿导线表面扩散引起的.最弱链接近似被用来分析单根Cu导线:Cu导线被适当均分为若干相互串联、失效机制不同的Cu块,任何一个Cu块的失效都会使整根Cu导线失效.分析结果表明,虽然表面缺陷不是最快的失效机制,但大起伏Cu导线的表面缺陷密度是另一种的10 倍以上,这是其早期失效比率高和可靠性较低的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王国宏	中国科学院半导体研究所	41	1911	17.0	41.0
2	汪辉	上海交通大学微电子学院	33	81	4.0	7.0
3	朱建军	中国科学院半导体研究所	17	121	5.0	10.0