SinH/SinH-(n=3～8)的结构和电子亲合能的研究

• 作者: 徐文国 杨桔材 肖文胜
• 来源期刊: 无机化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 硅氢化物 分子结构 电子亲合能 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 805-809
• 页数: 5页
• 分类号: O613.72
• 字数: 3640字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-4861.2005.06.005

摘要

选用四种不同的密度泛函理论方法(B3LYP,B3P86,BLYP,BP86),在全电子的双ζ加极化加弥散函数基组(DZP++)下,对SinH/SinH-(n=3～8)体系进行研究,获得它们的基态结构和电子亲合能.预测Si3H/Si3H-,Si4H/Si4H-,Si5H/Si5H-,Si6H/Si6H-,Si7H/Si7H-和Si8H/Si8H-的基态结构分别为C2v(2B2)/C2v(1A1)氢桥结构,Cs(2A′)/Cs(1A′),C2v(2B2)/C2v(1A1),C2v(2B2或2B1)/C4v(1A1),C5v(2A1)/C5v(1A1)和Cs(2A″)/C3v(1A1).在电子亲合能方面,B3LYP方法预测的电子亲合能是最可靠的,预测Si3H,Si4H,Si5H,Si6H,Si7H和Si8H的电子亲合能分别为2.56,2.59,2.84,2.86,3.19和3.14 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐文国	北京理工大学理学院	104	1521	22.0	35.0
2	杨桔材	北京理工大学理学院	6	33	2.0	5.0
6	肖文胜	北京理工大学理学院	13	321	10.0	13.0