三星量产70 nm 4Gb闪存

• 作者: 章从福
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 经济
• 关键词: NM 4Gb 市占率 晶圆厂 NAND 日本经济新闻 技术制造 新闻报导 销售比重 市场机构 技术差距
• 年，卷（期）: bdtxx_2005,（5）
• 页码范围: 22-22
• 页数: 1页
• 分类号: F416.6

摘要

【正】日本经济新闻引述韩国新闻报导指出,在NAND型闪存市占率高达54% 的三星电子日前公开宣称该公司将采用70 nm工艺技术制造4Gb NAND型 Flash,三星旗下的12英寸晶圆厂Fab14已较原订进度提前投产,未来该厂将以 70 nm工艺量产4 Gb NAND型Flash,年底月产能可望达1.5万片。