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摘要:
探讨了使用S参数设计低噪声放大器(LNA)的方法.设计采用了PHEMT晶体管(ATF-35143).设计过程首先从等效集总元件电路模型设计入手,然后对如何提高电路稳定性,降低噪声系数等方面进行了探讨,最后给出了工作带宽为1650M~2350M,增益G>29dB,增益平坦度GF±1dB,噪声系数NF<0.8dB的两级低噪声放大器的电路仿真结果.
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文献信息
篇名 宽带低噪声放大器的设计
来源期刊 计算机与数字工程 学科 工学
关键词 低噪声放大器 噪声系数 仿真 优化设计
年,卷(期) 2005,(12) 所属期刊栏目 设计与实现
研究方向 页码范围 145-146
页数 2页 分类号 TN957
字数 1352字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-9722.2005.12.040
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴国安 华中科技大学电子科学与技术系 37 307 11.0 16.0
2 李文广 华中科技大学电子科学与技术系 7 43 4.0 6.0
3 汤清华 华中科技大学电子科学与技术系 21 161 9.0 12.0
4 潘于 华中科技大学电子科学与技术系 2 7 2.0 2.0
传播情况
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节点文献
低噪声放大器
噪声系数
仿真
优化设计
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
计算机与数字工程
月刊
1672-9722
42-1372/TP
大16开
武汉市东湖新技术开发区凤凰产业园藏龙北路1号
1973
chi
出版文献量(篇)
9945
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28
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