一种宽频带大摆幅的三级CMOS功率放大器

• 作者: 余岳辉 刘三清 张诗娟 陈晓飞
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 功率放大器 单位增益带宽 输出摆幅
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 95-97
• 页数: 3页
• 分类号: TN722.1
• 字数: 2663字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2005.05.031

摘要

设计了一种用于耳机驱动的CMOS功率放大器,该放大器采用0.35 μm双层多晶硅工艺实现,驱动32 Ω的电阻负载.该设计采用三级放大两级密勒补偿的电路结构,通过提高增益带宽来提高音频放大器的性能.仿真结果表明,该电路的开环直流增益为70 dB,相位裕度达到86.6°,单位增益带宽为100 MHz.输出级采用推挽式AB类结构,能有效地提高输出电压的摆幅,从而得到电路在低电源电压下的高驱动能力.结果表明,在3.3 V电源电压下,电压输出摆幅为2.7 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余岳辉	华中科技大学电子科学与技术系	60	621	14.0	22.0
2	陈晓飞	华中科技大学电子科学与技术系	28	239	10.0	14.0
3	刘三清	华中科技大学电子科学与技术系	31	279	10.0	15.0
4	张诗娟	华中科技大学电子科学与技术系	2	26	2.0	2.0