无序二元合金(NixCu1-x)不同解理面上O吸附对Cu偏析的影响

• 作者: 周永军 张国英 张辉 李星 王瑞丹
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学吸附 表面偏析 Recursion方法 态密度
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5356-5361
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4349字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.064

摘要

应用计算机编程构造出了存在和不存在表面偏析的无序二元合金NixCu1-x(x=0.4)(100)表面及(110)表面的原子集团模型,然后按覆盖度θ=0.5,构造出了O吸附后的原子集团模型,应用Recursion方法计算了O在NixCu1-x(存在偏析和不存在偏析时)无序二元合金(100)和(110)表面吸附的电子结构.由此得出:1)O吸附使合金表面态密度峰降低,带宽加宽,并且表面Ni原子的d电子与吸附质O原子的s,p电子的共价作用比Cu更强烈;2)O吸附在NixCu1-x(x=0.4)(110)表面比(100)表面更稳定;3)O的吸附抑制了Cu在表面富集,且这种作用主要表现在表面一层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张辉	沈阳师范大学物理科学与技术学院	79	487	11.0	18.0
2	张国英	沈阳师范大学物理科学与技术学院	56	459	12.0	18.0
3	周永军	沈阳师范大学物理科学与技术学院	5	21	2.0	4.0
4	王瑞丹	沈阳师范大学物理科学与技术学院	7	117	4.0	7.0
5	李星	沈阳师范大学物理科学与技术学院	2	9	1.0	2.0