电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化

• 作者: 尹旻 栗军帅 王晓强 祁菁 贺德衍 陈强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电感耦合等离子体CVD Al诱导晶化 Si薄膜 低温生长
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、热学和力学性质
• 页码范围: 269-273
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2937字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.01.049

摘要

利用电感耦合等离子体CVD方法在350℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜.利用x射线衍射、紫外-可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等.结果表明,用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高,而且具有良好的(111)结晶取向性,晶粒尺寸大于300 nm,样品中无Al的残留.结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈强	兰州大学物理系	90	698	12.0	22.0
2	贺德衍	兰州大学物理系	68	559	13.0	19.0
3	王晓强	兰州大学物理系	4	12	3.0	3.0
4	栗军帅	兰州大学物理系	4	10	2.0	3.0
5	尹旻	兰州大学物理系	2	4	1.0	2.0
6	祁菁	兰州大学物理系	4	20	3.0	4.0