低覆盖度的Au/GaN(0001)界面的同步辐射研究

• 作者: 孙柏 尹志军 张文华 徐彭寿 徐法强 潘海斌 王国栋 邱凯 邹崇文
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 同步辐射 光电子能谱 Au/GaN欧姆接触 态密度
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3793-3798
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3378字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.08.057

摘要

利用同步辐射光电子能谱研究了低覆盖度Au在GaN(0001)表面的初始生长模式,肖特基势垒高度以及界面的电子结构.结果表明,Au沉积初始阶段有界面的化学反应,随后呈三维岛状生长.由光电子能谱实验确定的肖特基势垒高度为1.4 eV.通过对界面价带谱和Au 4f芯能级谱的分析,确定了界面化学反应的存在.利用线性缀加平面波方法计算了GaN(0001)和Au的价带态密度并分析了化学反应产生的机理,认为在初始阶段界面形成了Au-Ga合金.