插层Bi对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响及其XPS分析

• 作者: 于广华 曾德长 朱逢吾 李明华 赖武彦
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: NiFe/FeMn 交换偏置场Hex 表面偏聚 Bi插层
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1834-1836
• 页数: 3页
• 分类号: O484.5
• 字数: 2010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.12.006

摘要

在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中,我们曾发现Cu在NiFe层的表面偏聚导致NiFe/FeMn薄膜的交换偏置场降低.为了抑制Cu的表面偏聚,我们在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中在Cu/NiFe界面沉积Bi插层.实验发现,沉积适当厚度的Bi插层可以将NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场提高1倍.XPS分析表明,在Cu/NiFe界面沉积的插层Bi有效地抑制了Cu在NiFe表面的偏聚,提高了交换偏置场.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾德长	华南理工大学机械学院	127	548	11.0	17.0
2	于广华	北京科技大学材料物理系	88	372	9.0	14.0
3	李明华	华南理工大学机械学院	21	50	4.0	5.0
5	朱逢吾	北京科技大学材料物理系	54	229	8.0	12.0
6	赖武彦	中国科学院物理研究所	23	143	7.0	11.0