氨化硅基Ga2O3/Al2O3制备GaN薄膜的发光特性研究

• 作者: 孙振翠 庄惠照 曹文田 董志华 薛成山 魏芹芹
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: GaN薄膜 荧光光谱 带边发射 辐射复合
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 166-168
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2470字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.01.039

摘要

研究了Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自集结制备GaN薄膜的光致发光特性,讨论了发光机制以及生长条件对其光致发光特性的影响.样品的荧光光谱在347 nm有一强发光峰,在412 nm有一弱发光峰,这两个峰的强度都随着氨化温度的升高和氨化时间的增长而增强,但峰的位置保持不变.我们认为347 nm的峰是GaN的带边发光峰由于薄膜中晶粒尺寸的减小而蓝移造成的,而412 nm的发光峰则来源于导带到杂质受主能级的辐射复合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
2	魏芹芹	山东师范大学半导体研究所	14	58	4.0	7.0
3	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
4	董志华	山东师范大学半导体研究所	11	32	4.0	4.0
5	曹文田	山东师范大学半导体研究所	18	40	3.0	5.0
6	孙振翠	山东师范大学半导体研究所	15	52	4.0	6.0