Si基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜

• 作者: 原所佳 孙振翠 孙海波
• 来源期刊: 山东交通学院学报
• 关键词: Ga2O3薄膜 GaN薄膜 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 41-45
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-0032.2007.02.010

摘要

采用射频磁控溅射工艺在预沉积和预沉积后再分布的扩镓Si基上溅射Ga2O3薄膜氮化反应组装GaN薄膜.用红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)和荧光光谱(PL)对样品进行组成、结构、形貌和发光特性的分析.测试结果表明:采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN薄膜.同时显示预沉积的扩镓硅基较预沉积后再分布的扩镓硅基更适合GaN薄膜的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	原所佳	山东交通学院数理系	6	53	3.0	6.0
2	孙振翠	山东交通学院数理系	6	11	2.0	3.0
3	孙海波	山东交通学院数理系	9	25	3.0	4.0