具有AlAs氧化层的半导体型材

• 作者: 周均铭 王文冲 陈弘
• 来源期刊: 科技开发动态
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化铝 氧化层 半导体型材 氧化速率
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 47
• 页数: 1页
• 分类号: TN305.5
• 语种: 中文

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周均铭	北京市海淀区中关村南三街8号中国科学院物理研究所	1	0	0.0	0.0
2	陈弘	北京市海淀区中关村南三街8号中国科学院物理研究所	1	0	0.0	0.0
3	王文冲	北京市海淀区中关村南三街8号中国科学院物理研究所	1	0	0.0	0.0