p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池

• 作者: 刁宏伟 夏朝凤 孔光临 廖显伯 曾湘波 胡志华 郝会颖
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化纳米硅 量子尺寸效应 a-Si∶H太阳电池
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2945-2949
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3460字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.06.086

摘要

报道了选用厚度为0.05mm的不锈钢箔作衬底,B掺杂P型氢化纳米硅作窗口层,制备成功开路电压和填充因子分别达到0.90V和0.70的nip非晶硅基薄膜单结太阳电池.UV-VIS透射谱和微区Raman谱证实所用p层具有典型氢化纳米硅的宽能隙和含有硅结晶颗粒的微结构特征.明确指出导致这种氢化纳米硅能隙展宽的物理机制是量子尺寸效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏朝凤	云南师范大学能源与环境科学学院云南师范大学太阳能研究所	60	815	15.0	27.0
2	胡志华	中国科学院半导体研究所	17	121	5.0	10.0
4	廖显伯	中国科学院半导体研究所	31	378	7.0	19.0
7	刁宏伟	中国科学院半导体研究所	16	222	8.0	14.0
8	曾湘波	中国科学院半导体研究所	6	81	5.0	6.0
9	郝会颖	中国科学院半导体研究所	2	50	2.0	2.0