氨化Ga2O3/TiO2/Si薄膜制备GaN纳米线

• 作者: 孙传伟 孙莉莉 庄惠照 李红 王福学 艾玉杰 薛成山 陈金华
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 化学
• 关键词: 磁控溅射 GaN TiO2 纳米线
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 279-281
• 页数: 3页
• 分类号: O6
• 字数: 1340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2006.04.007

摘要

为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/TiO2薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行分析.研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线,纳米线的直径在100～400 nm,纳米线的长度在3～10 μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
2	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
3	陈金华	山东师范大学半导体研究所	11	19	2.0	3.0
4	李红	山东师范大学半导体研究所	29	57	4.0	5.0
5	孙莉莉	山东师范大学半导体研究所	8	7	2.0	2.0
6	孙传伟	山东师范大学半导体研究所	1	0	0.0	0.0
7	艾玉杰	山东师范大学半导体研究所	13	18	3.0	3.0
8	王福学	山东师范大学半导体研究所	12	17	3.0	3.0