泡沫碳化硅陶瓷表面原位生长碳化硅晶须

• 作者: 张劲松 曹小明 杜庆洋 胡宛平
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 泡沫碳化硅陶瓷 碳化硅晶须 原位生长
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 291-294
• 页数: 4页
• 分类号: O7
• 字数: 2766字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-3093.2006.03.015

摘要

采用固相和液相反应法在泡沫碳化硅陶瓷骨架表面原位生长碳化硅晶须,研究了催化剂和反应温度的影响.结果表明,催化剂氯化镍的作用使硅与碳直接反应生长出细长的碳化硅晶须.在适当的反应温度下生长的碳化硅晶须的表面光滑,线径比较大,有少量的呈弯曲状或竹节状;反应温度过高使得硅晶须的缺陷较多.在泡沫碳化硅陶瓷骨架的表面原位生长出碳化硅晶须属于LS生长机理.具有表面晶须的碳化硅陶瓷以深床体积过滤的方式用于过滤柴油机汽车尾气中的碳颗粒,表面晶须既能提高泡沫陶瓷过滤器的过滤能力,又有利于过滤器的再生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹小明	中国科学院金属研究所	41	468	15.0	20.0
2	胡宛平	中国科学院金属研究所	10	146	8.0	10.0
3	张劲松	中国科学院金属研究所	153	2921	28.0	48.0
4	杜庆洋	中国科学院金属研究所	5	64	4.0	5.0