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超薄化芯片
超薄化芯片
作者:
王仲康
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
超薄芯片
损伤层
粗糙度
总厚度误差(TTV)
芯片强度崩边
背面减薄
延性域
摘要:
芯片的超薄化发展,正在逐步整合半导体材料加工设备及其相应工艺.简要概述了芯片超薄化发展之动态,并以超薄芯片的减薄加工为中心,综合研究了影响超薄芯片机械特性、表面质量的主要因素,讨论了超薄晶圆片的最新加工技术.
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文献信息
篇名
超薄化芯片
来源期刊
电子工业专用设备
学科
工学
关键词
超薄芯片
损伤层
粗糙度
总厚度误差(TTV)
芯片强度崩边
背面减薄
延性域
年,卷(期)
2006,(11)
所属期刊栏目
专题报道(IC制造技术)
研究方向
页码范围
13-18
页数
6页
分类号
TN30
字数
5522字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1004-4507.2006.11.004
五维指标
传播情况
被引次数趋势
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节点文献
超薄芯片
损伤层
粗糙度
总厚度误差(TTV)
芯片强度崩边
背面减薄
延性域
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
主办单位:
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1004-4507
CN:
62-1077/TN
开本:
大16开
出版地:
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
邮发代号:
创刊时间:
1971
语种:
chi
出版文献量(篇)
3731
总下载数(次)
31
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