Si3N4-SiO2复合材料的制备及介电性能研究

• 作者: 唐辉 彭凡 阎发强 黄学辉
• 来源期刊: 武汉理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 烧结助剂 烧结温度 介电性能
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 21-23
• 页数: 3页
• 分类号: TQ050.42
• 字数: 2169字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4431.2006.12.007

摘要

以国产氮化硅、二氧化硅粉为原料,以氧化镁、氧化铝为烧结助剂,经干压成型后,在流动的高纯N2作为控制气氛的条件下,常压烧结出结构均匀,具有良好介电性能的Si3N4-SiO2复合材料.研究了原料、烧结温度、烧结助剂对材料介电性能的影响.结果表明:SiO2、MgO、Al2O3可促进坯体的烧结及致密,同时对材料的介电性能有较大的影响.当烧结温度低于1 550 ℃时,随着烧结温度的升高,材料的介电常数趋于增大.当烧结温度高于1 550 ℃时,随着温度的升高,材料中缺陷增加,相对密度降低,因此材料的介电常数趋于减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄学辉	武汉理工大学材料科学与工程学院	39	311	9.0	15.0
2	唐辉	武汉理工大学材料科学与工程学院	16	107	7.0	10.0
3	彭凡	武汉理工大学材料科学与工程学院	2	19	2.0	2.0
4	阎发强	武汉理工大学材料科学与工程学院	1	9	1.0	1.0