微阵列芯片的荧光光漂白特性

• 作者: 朱疆 杨阳 肖明 董中华 邓橙 黄国亮
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 医学
• 关键词: 微阵列 光漂白 荧光衰减
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 259-264
• 页数: 6页
• 分类号: R318.51|O482.31
• 字数: 3459字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.02.025

摘要

微阵列技术为大量基因表达水平的同时监控提供了一种高效的手段.随着微阵列芯片朝着小型化、高通量和弱信号方向发展,荧光检测技术以其易寻址和高灵敏度等优势越来越受到世人关注.在微阵列技术中,人们通过检测微阵列芯片上不同位置斑点的荧光信号强度,可以得知微阵列芯片不同位置固定的已知序列探针与荧光染料标记的cDNA样品的杂交情况.对一张微阵列芯片多次扫描后,荧光染料发生光漂白,荧光强度发生衰减变化,它将为微阵列的数据分析带来误差.使用荧光浓度梯度微阵列芯片研究了芯片经多次扫描后荧光斑点强度的衰减情况,通过拟合相同荧光斑点经多次重复扫描后得到的信号强度,得到了荧光斑点强度按指数形式衰减的规律,并在此基础上研究了荧光斑点强度衰减指数模型中的参数与荧光斑点初始浓度的关系,为进行微阵列芯片数据光漂白误差修正提供了实验依据.