分子动力学模拟Gd原子在Cu低密勒表面的扩散过程

• 作者: 谢国锋 陈难先
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子动力学 表面扩散 跳跃机制 交换机制 扩散势垒
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 451-454
• 页数: 4页
• 分类号: O59
• 字数: 2646字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.06.005

摘要

为了分析Gd吸附原子在Cu(001)、Cu(110)和Cu(111)表面的扩散机制,本文用分子动力学对该扩散过程进行模拟.模拟结果表明在Cu(001)和Cu(111)表面,Gd原子通过跳跃机制扩散;在Cu(110)表面,在[1 1 0]方向Gd原子通过跳跃机制扩散,而且多步跳跃频率很高,而在[0 0 1]方向则通过交换机制扩散.通过对扩散频率的拟合,发现在各种扩散机制都符合Arrhenius公式,从而确定了在Cu(001)和Cu(111)表面扩散势垒分别为0.19 eV和0.013 eV,在Cu(110)表面,沿[1 1 0]方向跳跃扩散势垒和沿[0 0 1]方向交换扩散势垒分别为0.097 eV和0.33 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢国锋	湘潭大学材料与光电物理学院	12	74	5.0	8.0
2	陈难先	清华大学应用物理系	12	50	4.0	7.0