非对称性隧穿势垒Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储特性的电路模拟

• 作者: 周少华 杨红官
• 来源期刊: 湖南工程学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 非对称势垒 复合纳米结构 单电子存储器 电路模拟
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 电气与信息工程
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1856字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-119X.2006.01.004

摘要

介绍了非对称性势垒单电子管(ATBs)的电路模拟和特性,以及采用准经典的Monte Carlo方法对Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储器的电路模拟,得出由于台阶状复合势垒的作用,在擦写时间保持μs和ms量级的同时,存储时间可长达数年.从而解决了快速编程与长久存储之间的矛盾.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周少华	湖南大学应用物理系	22	121	7.0	10.0
3	杨红官	湖南大学应用物理系	28	95	6.0	7.0