氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用

• 作者: 于映 吴清鑫 罗仲梓
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅薄膜 杨氏模量 MEMS 射频开关
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: RF微纳器件与技术
• 页码范围: 1967-1969
• 页数: 3页
• 分类号: TM5
• 字数: 1677字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2006.05.173

摘要

氮化硅薄膜具有致密的结构、高强度和良好的耐磨性能,可用于MEMS器件中作为结构部件.本文采用PECVD法制备氮化硅薄膜,对氮化硅薄膜的杨氏模量和硬度进行了测试,并分析了沉积温度、反应气体流量比对薄膜杨氏模量和硬度的影响.应用氮化硅薄膜作为悬梁,制作了射频MEMS开关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗仲梓	厦门大学萨本栋微机电研究中心	15	225	7.0	15.0
2	于映	福州大学物理与信息工程学院	36	343	8.0	17.0
3	吴清鑫	福州大学物理与信息工程学院	3	95	3.0	3.0