宽带单片低噪声放大器的增益温度补偿

• 作者: 彭龙新 杨乃彬 林金庭
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 赝配高电子迁移率晶体管 宽带单片低噪声放大器 漏电流温度特性 增益温度特性 增益温度补偿
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 科研通讯
• 页码范围: 934-937
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.3
• 字数: 3288字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2006.05.034

摘要

分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出了两种自动温度补偿的方法,并分析了每种方法的温度补偿原理.串联源电阻的温度补偿可使PHEMT的漏电流基本保持不变,在一定程度上能降低温度对增益的影响.而自动栅压温度补偿则是强温度补偿,它可随温度的升高,自动提高栅极电压,提高PHEMT的跨导,从而大大减少温度对增益的影响,达到温度补偿的目的.把这两种自动温度补偿的方法结合应用到宽带低噪声放大器中,发现补偿效果良好.试验发现温度补偿后,温度从-55℃～+85℃时和-55℃～+125℃时,放大器的增益在6GHz时的降差分别减小了60%和51%,较大地改善了放大器的温度-增益性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林金庭		30	238	10.0	14.0
2	杨乃彬		18	95	6.0	8.0
3	彭龙新		21	143	7.0	11.0