《国际半导体技术蓝图》(2005版)光刻部分解析

• 作者: 卞志昕
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 国际半导体技术蓝图 光刻 挑战 ITRS
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 3-5,11
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2260字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2006.06.002

摘要

对2005年公布的<国际半导体就十时微蓝图>中光刻部分进行了介绍与分析,并与之前的版本进行比较,列出了光刻技术面临的挑战和潜在技术方案.最后指出,浸入式光刻、纳米压印、极紫外光刻和ML2将是未来几年重点研究对象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卞志昕		14	100	6.0	9.0