氧化铟锡薄膜制备工艺参数的正交优化设计

• 作者: 周怀营 徐华蕊 职利
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 水热法 正交试验
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 465-468
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1521字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.013

摘要

利用水热的方法制备了ITO透明导电薄膜,通过正交试验设计研究镀膜工艺因素对薄膜光电特性的影响规律.试验结果表明:影响薄膜光电性能的主要因素是前驱物浓度,其次是氨水浓度和保温温度,保温时间对薄膜光电性能的影响较小.在采用前驱物浓度为0.5 mol/L、氨水浓度为3 mol/L、保温温度为160 ℃、保温时间8 h的实验条件下,沉积薄膜的性能较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周怀营	桂林电子工业学院信息材料科学与工程系	71	324	10.0	13.0
2	职利	桂林电子工业学院信息材料科学与工程系	10	61	4.0	7.0
3	徐华蕊	桂林电子工业学院信息材料科学与工程系	31	143	7.0	10.0