半导体-金属界面剂量增强效应的模拟实验

• 作者: 周银行
• 来源期刊: 中国工程物理研究院科技年报
• 学科: 工学
• 关键词: 剂量增强效应 半导体器件 金属界面 模拟实验 集成电路封装 封装结构 材料界面 导电性能
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 78-79
• 页数: 2页
• 分类号: TN303

摘要

自Garth等人提出了界面剂量增强效应后，国内外众多学者通过理论和实验方法对不同材料界面的剂量增强效应做了深入的研究。半导体器件的封装常采用Al，Kovar，Au等，在许多集成电路封装盖内层镀一层Au（如Kovar封装结构）以提高器件导电性能。因而半导体器件中存在不同介质接触界面，界面区是对半导体器件性能起决定性影响的区域，也是对辐射特别灵敏的区域。