稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究

• 作者: 关颖 吴国荣 周辉 张义门 郭红霞 陈雨生 韩福斌 龚建成
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: X射线 剂量增强因子 总剂量效应 剂量率效应
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 2279-2283
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4118字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.12.001

摘要

重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属-氧化物-半导体(CMOS)器件剂量增强效应relative dose enhance ment effect(RDEF)研究.通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时X射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.在脉冲X射线源dense plasma focus(DPF)装置上,采用双层膜结构开展瞬态翻转增强效应研究,获得了瞬态翻转剂量增强因子.这些方法为器件抗X射线辐照加固技术研究提供了实验技术手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学研究所	129	835	15.0	21.0
2	周辉		84	938	16.0	26.0
3	龚建成		27	110	6.0	8.0
4	郭红霞	西安电子科技大学微电子学研究所	81	385	10.0	13.0
6	吴国荣		11	42	4.0	6.0
7	陈雨生		36	433	11.0	19.0
8	关颖		9	60	4.0	7.0
9	韩福斌		12	56	4.0	6.0