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摘要:
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差.通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行.为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替 SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5.16(2.03 in)像素结构中,开口率提高了60 %.
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文献信息
篇名 利用CF4等离子体制作高开口率TFT-LCD
来源期刊 液晶与显示 学科 工学
关键词 TFT-LCD 开口率 刻蚀 CF4等离子体
年,卷(期) 2006,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 409-413
页数 5页 分类号 TN873.93|TN305.7
字数 338字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.001
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研究主题发展历程
节点文献
TFT-LCD
开口率
刻蚀
CF4等离子体
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
液晶与显示
月刊
1007-2780
22-1259/O4
大16开
长春市东南湖大路3888号
12-203
1986
chi
出版文献量(篇)
3141
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7
总被引数(次)
21631
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