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利用CF4等离子体制作高开口率TFT-LCD
利用CF4等离子体制作高开口率TFT-LCD
作者:
Jung-yeal LEE
劉聖烈
崔瑩石
張炳鉉
李禹奉
李貞烈
柳在一
金奉柱
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
TFT-LCD
开口率
刻蚀
CF4等离子体
摘要:
为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差.通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行.为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替 SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5.16(2.03 in)像素结构中,开口率提高了60 %.
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TPS65105
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供电电源方案
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内容分析
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期刊文献
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关键词热度
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文献信息
篇名
利用CF4等离子体制作高开口率TFT-LCD
来源期刊
液晶与显示
学科
工学
关键词
TFT-LCD
开口率
刻蚀
CF4等离子体
年,卷(期)
2006,(5)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
409-413
页数
5页
分类号
TN873.93|TN305.7
字数
338字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.001
五维指标
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
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节点文献
TFT-LCD
开口率
刻蚀
CF4等离子体
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
液晶与显示
主办单位:
中科院长春光学精密机械与物理研究所
中国光学光电子行业协会液晶分会
中国物理学会液晶分会
出版周期:
月刊
ISSN:
1007-2780
CN:
22-1259/O4
开本:
大16开
出版地:
长春市东南湖大路3888号
邮发代号:
12-203
创刊时间:
1986
语种:
chi
出版文献量(篇)
3141
总下载数(次)
7
总被引数(次)
21631
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