高纯Ti3SiC2块体的热压原位合成及性能研究

• 作者: 周洋 唐兆云 翟洪祥 艾明星 黄振莺
• 来源期刊: 北京交通大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Ti3SiC2 热压烧结 弯曲强度 电阻率 硬度
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 应用物理
• 页码范围: 49-51,56
• 页数: 4页
• 分类号: TG113.2
• 字数: 2472字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0291.2006.06.011

摘要

以Ti、Si和石墨粉为原料,以少量的Al为反应助剂,用反应热压(HP)工艺在1 450 ℃和25MPa下2 h制得纯度为97%、相对密度为98.45%、粒度为5～10 μm的Ti3SiC2多晶块体.其弯曲强度为407 MPa、室温电阻率为0.22×10-6 Ω·m、维氏硬度为3.97 GPa.与Barsoum和Ei-Raghy在1 600 ℃和40 MPa下烧结4 h获得的样品相比,本样品显示了较低的弯曲强度,基本相同的纯度、电阻率和硬度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翟洪祥	北京交通大学机电学院	49	244	10.0	13.0
2	黄振莺	北京交通大学机电学院	31	172	8.0	12.0
3	周洋	北京交通大学机电学院	30	71	5.0	7.0
4	艾明星	北京交通大学机电学院	11	60	5.0	7.0
5	唐兆云	北京交通大学理学院	1	3	1.0	1.0