适合基站放大器应用的图形化SOI LDMOSFET的设计与分析

• 作者: 俞跃辉 宋朝瑞 王洪涛 程新红 袁凯 许仲德
• 来源期刊: 温州师范学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 图形化SOI LDMOSFET 功率放大器 基站
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 物理与电子信息科学
• 页码范围: 20-24
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2616字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3875/j.issn.1674-3563.2006.02.005

摘要

设计了一种新型图形化SOI(pattemed-Silicon-On-Insulator)LDMOSFET(1ateral doublediffused MOSFETs)结构,埋氧层在沟道下方是间断的.工艺和性能模拟分析表明,此结构具有SOI器件低泄漏电流和低输出电容的特性,而且能抑制自加热效应和浮体效应.当漂移区长度为3μm时,开态击穿电压可达到30V、关态电压为71V、截止频率6.2GHz、最大振荡频率20GHz,2GHz时、栅偏压3V时的输出功率为0.8W/mm、功率增益为28dB.这些电学参数适合2G、60V无线通讯基站功率放大器的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程新红	温州大学物理与电子信息学院	7	12	2.0	3.0
2	宋朝瑞	中科院上海微系统与信息技术研究所	4	2	1.0	1.0
3	俞跃辉	中科院上海微系统与信息技术研究所	4	2	1.0	1.0
4	袁凯		11	8	1.0	2.0
5	王洪涛	温州大学物理与电子信息学院	4	2	1.0	1.0
6	许仲德		8	6	1.0	1.0