基于PECVD的碳纳米管生长及其场致发射特性

• 作者: 郭靖阳 陈泽祥
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管 等离子体增强化学气相沉积 场致发射
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN873
• 字数: 2169字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2006.02.001

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积方法,以Ni作为催化剂实现碳纳米管阵列定区域单根分立生长.扫描电子显微镜分析结果表面,碳纳米管呈现笔直生长,生长速率大于500 nm/min,长度和直径比较均匀,且具有高度的定向性,排列整齐并垂直于基底.透射电子显微镜分析结果显示,生长的碳纳米管表现典型的多壁碳纳米管结构特征,并且晶格缺陷非常少.在高真空系统中对生长的碳纳米管阵列进行场致发射特性测试,结果表明生长的碳纳米管发射阵列具有很好的场致发射特性,最大电流密度大于1 A/cm2.老炼试验显示生长的碳纳米管阵列场致发射特性具有良好的稳定性.紫外光子谱线法测试结果表明,生长的碳纳米管的功函数为4.96 eV,由此计算出碳纳米管阵列相对应的场增强因子大于1100.本文的研究结果提供了一种简单的可实现大面积和规模化的基于碳纳米管场致发射阴极的制备途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈泽祥	电子科技大学光电信息学院	32	217	9.0	13.0
2	郭靖阳	电子科技大学光电信息学院	1	5	1.0	1.0