X波段单片低噪声放大器的设计

• 作者: 徐晨 申明磊
• 来源期刊: 电子工程师
• 学科: 工学
• 关键词: X波段 PHEMT 微波单片集成电路
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 微电子与基础产品
• 页码范围: 24-26,32
• 页数: 4页
• 分类号: TN7
• 字数: 1994字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-4888.2006.10.008

摘要

研究了微波PHEMT(假晶型高电子迁移率晶体管)的非线性模型提取技术和CAD设计优化技术,采用3级放大的拓扑结构,设计了输入、级间和输出匹配网络以及偏置电路和拓扑结构,在尽可能小的尺寸上实现了工作频率范围为9 GHz～11GHz、增益大于33.9 dB、噪声小于0.75 dB、输入输出驻波比小于1.3、输入输出端口均匹配到50 Q标准阻抗的单片集成电路,具有小型化、低噪声、高增益、低成本、高可靠性的特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	申明磊	南京理工大学微波与通信工程研究中心	5	23	4.0	4.0
2	徐晨		3	27	2.0	3.0