碳化硅（SiC）晶体产业化项目

• 来源期刊: 试剂与精细化学品
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 产业化项目 第三代半导体材料 晶体 光电器件 击穿电场 饱和浓度 航天领域 砷化镓 第二代
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 19
• 页数: 1页
• 分类号: TQ174.758

摘要

碳化硅（SiC）是继第一代半导体材料硅和第二代半导体材料砷化镓（GaAs）后发展起来的第三代半导体材料。由于SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导牢、高载流子饱和浓度等特点，使得它在军用和航天领域的高温、高频、大功牢光电器件方面具有优越的应用价值，并逐步取代现有的硅和砷化镓基光电器件。