印刷碳纳米管薄膜场发射失效行为研究

• 作者: 刘兴辉 刘卫华 曾凡光 朱长纯
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 丝网印刷 碳纳米管薄膜 场致发射 失效行为 老炼 可靠性
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 场发射与真空微纳电子会议专辑
• 页码范围: 68-71
• 页数: 4页
• 分类号: TN27|O462.4
• 字数: 2703字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2006.01.020

摘要

对基于印刷碳纳米管(CNT)薄膜的场发射器件的失效行为进行了研究.微观分析结果表明,器件失效主要是由真空击穿对CNT和导电衬底造成损坏所引起的.印刷CNT薄膜中存在的CNT团聚颗粒所造成的正反馈的发热和电流增加导致了真空击穿的发生.通过在真空室中对印刷CNT薄膜进行场发射条件下的老炼处理,有效地预防了真空击穿的发生,并使薄膜的场发射均匀性得到提高,证实了真空老炼对预防真空击穿和提高器件工作可靠性的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯	西安交通大学电子与信息工程学院	215	2372	22.0	41.0
2	刘卫华	西安交通大学电子与信息工程学院	33	304	9.0	16.0
3	曾凡光	西安交通大学电子与信息工程学院	9	49	5.0	6.0
4	刘兴辉	西安交通大学电子与信息工程学院	12	88	5.0	9.0