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摘要:
采用直流电弧等离子喷射(DC arc plasma jet)CVD(chemical vapour deposition)工艺制成的金刚石薄膜,研制成功MSM(metal-semiconductor-metal)型CVD金刚石脉冲辐射探测器.对制作的金刚石薄膜材料及探测器有关性能进行了测量,结果表明,采用Raman shift<4.5cm-1的金刚石薄膜制成的探测器,可满足亚纳秒脉冲辐射探测的要求.由于其独特的物理性能,在制作成本合理的情况下,在脉冲辐射测量中可取代Si-PIN探测器.
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文献信息
篇名 金刚石膜探测器研制
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 CVD 金刚石薄膜 辐射探测器
年,卷(期) 2006,(5) 所属期刊栏目 核物理学
研究方向 页码范围 2170-2174
页数 5页 分类号 O4
字数 2908字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吕反修 北京科技大学功能材料研究所 151 1208 18.0 24.0
2 唐伟忠 北京科技大学功能材料研究所 106 860 16.0 21.0
3 陈广超 北京科技大学功能材料研究所 27 235 9.0 14.0
4 欧阳晓平 清华大学工程物理系 10 73 6.0 8.0
5 张忠兵 47 186 8.0 11.0
6 王伟 14 84 5.0 9.0
7 范如玉 34 168 7.0 10.0
8 王兰 清华大学工程物理系 15 92 6.0 9.0
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CVD
金刚石薄膜
辐射探测器
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