用单片清洗设备进行晶圆背面清洗

• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 晶圆清洗 背面清洗 氮化硅(Si3N4)粒子 粒子去除效率 清洗设备
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 专题报道(IC前道技术)
• 页码范围: 14-19,51
• 页数: 7页
• 分类号: TN3
• 字数: 387字
• 语种: 中文

摘要

晶圆背面的污染降低了半导体器件的成品率,而当器件进入100 nm技术节点之后成品率的降低便显得尤为重要.因此,目前众多的器件制造厂家就要求在进行片子正面清洗的同时对其背面也能够实现清洗.由Akrion公司制造的Mach2 HP系统就是这样一种单片清洗设备,它具有清洗晶圆正反两面的功能.在起初评价时,设备经过了大量的粒子去除效率的变化.这种大量的变化使我们不能了解这种设备真实的清洗能力.氮化硅(Si3N4)粒子污染的晶片被用以进行粒子去除效率测试.我们发现有Si3N4粒子的晶片引起了背面粒子去除效率的变化.这种含Si3N4粒子的晶片是通过在裸芯片上沉积Si3N4粒子而特意准备的.我们发现,一些较大的Si3N4粒子在晶片清洗时又分解成更小的粒子.如若在清洗之后分解的粒子仍保留在晶片上,它们便会降低晶片总的粒子去除效果.因此,在这些粒子沉积到晶片上之前,这些粒子群需要进一步分解成实际的粒子.经过了解晶片的预习处理,我们实现了这种清洗设备背面清洗效果的评价.