JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究

• 作者: 任迪远 刘刚 牛振红 陆妩 高嵩
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 运算放大器 结型场效应管 辐射损伤 低剂量率 加速评估
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 先进探测仪器及方法
• 页码范围: 627-630
• 页数: 4页
• 分类号: TN7
• 字数: 3172字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2006.08.016

摘要

本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究.结果表明,采用循环辐照一退火的方法可以使JFET输入运算放大器的辐射损伤增强,并且通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数,可以评测出器件的低剂量率辐射损伤情况.文章还对这种辐射损伤方法的机理进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆妩	中国科学院新疆理化技术研究所	42	320	11.0	16.0
2	刘刚	中国科学院新疆理化技术研究所	207	2369	24.0	40.0
6	牛振红	中国科学院新疆理化技术研究所	8	34	4.0	5.0
10	任迪远	中国科学院新疆理化技术研究所	59	375	11.0	16.0
11	高嵩	中国科学院新疆理化技术研究所	11	64	5.0	7.0