硅纳米线阵列的制备及其光伏应用

• 作者: 吴茵 彭奎庆 朱静 胡崛隽 许颖
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米线阵列 减反射 太阳电池
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 页码范围: 811-818
• 页数: 8页
• 分类号: TK514
• 字数: 5069字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2006.08.013

摘要

采用金属催化化学腐蚀方法在单晶硅片表面可以制备出大面积排列整齐、与原始硅片取向一致的硅纳米线阵列,得到的硅纳米线单晶性好、轴向可控且掺杂浓度不受掺杂类型和晶向的影响.基于此,我们成功制备了大面积硅纳米线p-n结二极管阵列.此外,硅纳米线阵列结构具有优异的减反射性能,探索了其在太阳电池中的应用.目前初步研制出了基于硅纳米线阵列的新型太阳电池,获得了最高为9.23%电池效率.同时也研究了限制硅纳米线阵列太阳电池转换效率的主要因素,为以后的应用做了前期的探索工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱静	清华大学材料科学与工程系	80	1002	16.0	29.0
2	许颖		39	349	12.0	17.0
3	吴茵	清华大学材料科学与工程系	1	34	1.0	1.0
4	胡崛隽	清华大学材料科学与工程系	1	34	1.0	1.0
5	彭奎庆	清华大学材料科学与工程系	2	41	2.0	2.0