用低纯碳化硅微粉烧结碳化硅陶瓷

• 作者: 吉晓莉 孙峰 武七德 田庭燕 郝慧
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 反应烧结 显微结构
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 60-64
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3043字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2006.01.013

摘要

用工业尾料低纯W3.5 μm SiC微粉为原料,在N2保护下烧结碳化硅(SiC)陶瓷.研究了低纯SiC微粉中杂质对SiC陶瓷力学性能的影响,对比了微粉提纯后材料的性能与结构.通过扫描电镜、金相显微镜分析材料的显微结构.结果表明:微粉杂质中SiO2、金属氧化物在SiC烧结温度下的放气反应是影响陶瓷材料力学性能的主要因素.由低纯SiC粉制得的材料的烧结密度达到(3.15±0.01)g/cm3,抗折强度达到(441±10)MPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武七德	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	43	542	14.0	21.0
2	孙峰	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	7	73	4.0	7.0
3	田庭燕	山东大学材料液态结构及其遗传性教育部重点实验室	4	77	3.0	4.0
4	吉晓莉	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	36	417	11.0	19.0
5	郝慧	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	4	60	4.0	4.0