沉积参数对碳氮化硅薄膜化学结构及光学性能的影响

• 作者: 丁万昱 徐军 朴勇 梁宏军 陆文琪 马腾才 高鹏
• 来源期刊: 应用光学
• 学科: 物理学
• 关键词: SiCN薄膜 微波ECR等离子体 沉积参数 光学带隙
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 光电工程
• 页码范围: 274-280
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 5332字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2082.2006.04.005

摘要

利用微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了碳氮化硅(SiCN)薄膜.研究结果表明:硅靶溅射功率和氮气流量对薄膜化学结构、光学、力学等性能有很大影响.傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和X射线光电子能谱(XPS)表征显示,随着硅靶溅射功率由150W增加到 350 W,薄膜中C-Si-N键含量由14.3%增加到43.6%;氮气流量的增大(2～15 sccm)易于形成更多的sp2C=N键和sp1C≡N键.在改变硅靶溅射功率和氮气流量的条件下,薄膜光学带隙最大值分别达到2.1 eV和2.8 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马腾才	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	81	688	15.0	21.0
2	丁万昱	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	10	77	6.0	8.0
3	高鹏	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	41	283	10.0	15.0
4	徐军	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	51	346	11.0	14.0
5	梁宏军	西安通信学院数理教研室	12	104	5.0	10.0
6	陆文琪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	13	101	7.0	9.0
7	朴勇	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	13	66	6.0	7.0