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摘要:
研究了封装以及ESD保护电路对低噪声放大器的性能影响.通过详尽推导电感负反馈共发射极低噪声放大器的输入阻抗、跨导、电压增益以及噪声系数的表达式,讨论并设计了一个应用于超高频接收芯片的低噪声放大器.芯片采用低成本的0.8μm BiCMOS工艺实现,封装形式为SOIC28.经过测量,所得到的参数与讨论及仿真值很好吻合,验证了设计以及优化方法的正确性.
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文献信息
篇名 一种带封装及ESD保护电路的低噪声放大器设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 封装效应 ESD保护 射频集成电路 低噪声放大器
年,卷(期) 2006,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 691-696
页数 6页 分类号 TN7
字数 3778字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.03.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赖宗声 华东师范大学微电子电路与系统研究所 136 779 13.0 18.0
2 李小进 华东师范大学微电子电路与系统研究所 32 83 5.0 7.0
3 游淑珍 华东师范大学微电子电路与系统研究所 7 26 2.0 5.0
4 石春琦 华东师范大学微电子电路与系统研究所 46 133 7.0 9.0
5 许永生 华东师范大学微电子电路与系统研究所 7 23 2.0 4.0
6 陶永刚 华东师范大学微电子电路与系统研究所 5 7 2.0 2.0
7 洪亮 华东师范大学微电子电路与系统研究所 7 18 2.0 3.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
封装效应
ESD保护
射频集成电路
低噪声放大器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
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21
总被引数(次)
27643
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