基于Ebara的氧化硅CMP机械刮伤机理的分析与解决措施

• 作者: 刘丽 华光平 张跃锋 李东 程秀兰
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: CMP(化学机械抛光) 超大规模集成电路 缺陷 成品率 刮伤 研磨垫平整器
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 设计应用
• 页码范围: 58-61,57
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 2922字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2583.2006.01.015

摘要

化学机械抛光(CMP,chemical mechanical polishing)是当前广泛用于半导体制造O.35um产品及以下工艺产品中的表面平坦化工艺步骤.CMP的出现为工艺的进一步发展提供了可能,但是CMP工艺造成的缺陷也带来了成品率的损失,减少缺陷,提高成品率是CMP工程师的重要工作内容.本文就Ebara CMP设备研磨垫整理器(dresser)刮伤机理进行了分析和研究,并对此提出了相应的解决措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学微电子学院	48	205	5.0	12.0
2	刘丽	上海交通大学微电子学院	20	119	6.0	10.0
3	李东		1	1	1.0	1.0
4	张跃锋		1	1	1.0	1.0
5	华光平		1	1	1.0	1.0