氟化非晶碳薄膜结构与热稳定性研究

• 作者: 吴振宇 杨银堂 汪家友 苏祥林 蒋昱
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 物理学
• 关键词: 氟化非晶碳 低K材料 热稳定性 电子回旋共振化学沉积
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 304-307
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.02.002

摘要

在室温下以C4F8和CH4为前驱气体,用电子回旋共振化学气相沉积(ECR-CVD)的方法生长了氟化非晶碳(α-C∶F)薄膜.通过傅立叶变化红外光谱分析(FTIR)和X射线光电子能谱分析(XPS)对薄膜的化学结构和成键情况进行了研究.CFx(x=2～3)以及位于C-C交联结构末端用于构成CxFy大分子结构的C-C键的热稳定性较差,在N2气氛下退火后,会以气态形式进行分解,导致α-C∶F薄膜膜厚的减小.随着源气体流量比R=[C4F8]/([C4F8]+[CH4])的减小,α-C∶F薄膜中C-CFx交联结构逐渐增多,CFx(x=2～3)基团及构成CxFy大分子结构的C-C键逐渐减少,薄膜的热稳定性得到著提高.α-C∶F薄膜在退火后,由于取向极化的增大和电子极化的减小,以及薄膜密度的增加使得α-C∶F薄膜的介电常数有所增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋昱	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	11	1.0	3.0
2	吴振宇	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	24	170	9.0	12.0
3	苏祥林	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	4	39	2.0	4.0
4	汪家友	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	31	267	11.0	15.0
5	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0