V/Sb预合成粉对ZnO-V2O5基压敏电阻材料的影响

• 作者: 张慧君 王卫民 田长生 赵鸣 高峰
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO-V2O5压敏电阻 二次合成法 低温烧结
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 页码范围: 224-227
• 页数: 4页
• 分类号: TN379
• 字数: 2138字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2006.z1.056

摘要

基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在950℃合成了组织均匀、瓷体相对密度＞98%、非线性系数＞50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料.Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结.随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn2+离子的取代量增加,材料内部VZn等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田长生	西北工业大学材料科学与工程学院	110	922	16.0	24.0
2	高峰	西北工业大学材料科学与工程学院	119	958	16.0	23.0
3	赵鸣	西北工业大学材料科学与工程学院	24	233	9.0	14.0
7	王卫民	西北工业大学材料科学与工程学院	17	220	7.0	14.0
8	张慧君	西北工业大学材料科学与工程学院	12	205	6.0	12.0